Gigabyte GA-8VD667 Manual de Usario PDF

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Especificaciones del producto

Marca: Gigabyte
Categoría: Placa madre
Modelo: GA-8VD667
Color del producto: Zilver
Peso.: 78 g
Ancho: - mm
Profundidad: - mm
Altura: 7 mm
Litografía del procesador: 25 nm
Interfaz: SATA III
Certificados de sostenibilidad: RoHS
Software incluido: Intel Data Migration Software, Intel Solid-State Drive Toolbox
Algoritmos de seguridad compatibles: 128-bit AES
Interno: Ja
Capacidad SSD: 120 GB
factor de vorm SSD: 2.5"
Tiempo medio entre fallos (MTBF): 1200000 uur
Tipo de memoria: MLC
Velocidad de lectura: 550 MB/s
Velocidad de escritura: 500 MB/s
Ratio de transferencia: 6 Gbit/s
Resistencia a los golpes: 1500 G
Resistencia a golpes (fuera de uso): 1500 G
Vibraciones, en funcionamiento: 2.17 G
Vibraciones durante el almacenamiento: 3.13 G
Temperatura de funcionamiento (TT): 0 - 70 °C
Soporte INTELIGENTE: Ja
Lectura aleatoria (4 KB): 25000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 40000 IOPS
Segmento de mercado: Mobiel
Tasa de errores de bits incorregibles (UBER): < 1 per 10^16 bits read
Adaptador de unidad de almacenamiento incluido: Ja
Escribir latencia: 85 µs
Leer latencia: 80 µs
Litografía: 25 nm
Tipo de adaptador de unidad de almacenamiento: 2.5" - 3.5"
Fecha de lanzamiento: Q1'12
Retención-de-datos: 5 jaar
Estado: Discontinued
Familia de productos: Bestaande consumenten-SSD
Producción en serie: Intel 520
última modificación: 63903513
Nombre del código del producto: Cherryville
Tecnología mejorada de protección de datos ante pérdida de energía: Nee
ID de arca SSD: 66248
Capacidad de unidad: 120 GB
Codificación de hardware SSD: AES 128 bit
Consumo de energía SSD (activo): 850 mW (MobileMark 2007 Workload)
Consumo de energía SSD (inactivo): 600 mW (DIPM)
Choque SSD: 1, 500 G/.5 msec
Velocidad de lectura secuencial: 550 MB/s
Velocidad de escritura secuencial: 500 MB/s
Escritura aleatoria (8 GB de extensión): 40000 IOPS
Lectura aleatoria (8 GB de extensión): 25000 IOPS
Clasificación de resistencia (durante 5 años): 20 GB/dag
Componentes SSD: Intel NAND Flash Memory Multi-Level Cell (MLC) Technology